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IRF7338TRPBF
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC
Número de pieza
IRF7338TRPBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Digi-Reel®
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potencia - Máx.
2W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Tipo FET
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
6.3A, 3A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
640pF @ 9V
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