Comprar Infineon Technologies IRF7665S2TR1PBF MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB

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IRF7665S2TR1PBF

MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB

Número de pieza

IRF7665S2TR1PBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

DirectFET™ Isometric SB

Paquete de dispositivo del proveedor

DIRECTFET SB

Disipación de energía (máx.)

2.4W (Ta), 30W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4.1A (Ta), 14.4A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

62 mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 25µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

515pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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