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IRF7701TRPBF

IRF7701TRPBF

MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
Número de pieza
IRF7701TRPBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-TSSOP
Disipación de energía (máx.)
1.5W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
10A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
5050pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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