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IRF7910PBF

IRF7910PBF

MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC
Número de pieza
IRF7910PBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Discontinued at Digi-Key
embalaje
Tube
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potencia - Máx.
2W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
10A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1730pF @ 6V
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En stock 48621 PCS
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