Comprar Infineon Technologies IRF7910TRPBF MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC

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Hojas de datos

IRF7910TRPBF

MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC

Número de pieza

IRF7910TRPBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Potencia - Máx.

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Función FET

Logic Level Gate

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

12V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

10A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1730pF @ 6V

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