Comprar Infineon Technologies IRF8910GPBF MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

IRF8910GPBF

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO

Número de pieza

IRF8910GPBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Potencia - Máx.

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Función FET

Logic Level Gate

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

10A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

13.4 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.55V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

960pF @ 10V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 54950 PCS

Información del contacto