La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRF8910GTRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Número de pieza
IRF8910GTRPBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potencia - Máx.
2W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
10A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.55V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
960pF @ 10V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 39317 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRF8910GTRPBF
IRF8910GTRPBF Componentes electrónicos
IRF8910GTRPBF Ventas
IRF8910GTRPBF Proveedor
IRF8910GTRPBF Distribuidor
IRF8910GTRPBF Tabla de datos
IRF8910GTRPBF Fotos
IRF8910GTRPBF Precio
IRF8910GTRPBF Oferta
IRF8910GTRPBF El precio más bajo
IRF8910GTRPBF Buscar
IRF8910GTRPBF Adquisitivo
IRF8910GTRPBF Chip