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IRF8915
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Número de pieza
IRF8915
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potencia - Máx.
2W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
8.9A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
18.3 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 10V
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