La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRF8915TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Número de pieza
IRF8915TRPBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potencia - Máx.
2W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
8.9A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
18.3 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 10V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 13118 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRF8915TRPBF
IRF8915TRPBF Componentes electrónicos
IRF8915TRPBF Ventas
IRF8915TRPBF Proveedor
IRF8915TRPBF Distribuidor
IRF8915TRPBF Tabla de datos
IRF8915TRPBF Fotos
IRF8915TRPBF Precio
IRF8915TRPBF Oferta
IRF8915TRPBF El precio más bajo
IRF8915TRPBF Buscar
IRF8915TRPBF Adquisitivo
IRF8915TRPBF Chip