La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRF9910
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Número de pieza
IRF9910
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potencia - Máx.
2W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
10A, 12A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.55V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 10V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 40858 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRF9910
IRF9910 Componentes electrónicos
IRF9910 Ventas
IRF9910 Proveedor
IRF9910 Distribuidor
IRF9910 Tabla de datos
IRF9910 Fotos
IRF9910 Precio
IRF9910 Oferta
IRF9910 El precio más bajo
IRF9910 Buscar
IRF9910 Adquisitivo
IRF9910 Chip