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IRFH5007TR2PBF

IRFH5007TR2PBF

MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
Número de pieza
IRFH5007TR2PBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
PQFN (5x6)
Disipación de energía (máx.)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
75V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
17A (Ta), 100A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
5.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 150µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
98nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4290pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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