Comprar Infineon Technologies IRFH5110TR2PBF MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

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IRFH5110TR2PBF

MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

Número de pieza

IRFH5110TR2PBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

PQFN (5x6)

Disipación de energía (máx.)

3.6W (Ta), 114W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

11A (Ta), 63A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

12.4 mOhm @ 37A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 100µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3152pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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