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IRFH5303TRPBF

IRFH5303TRPBF

MOSFET N-CH 30V 82A 8-PQFN
Número de pieza
IRFH5303TRPBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
PQFN (5x6)
Disipación de energía (máx.)
3.6W (Ta), 46W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
23A (Ta), 82A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 49A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.35V @ 50µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2190pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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