Comprar Infineon Technologies IRFH6200TR2PBF MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN

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Hojas de datos

IRFH6200TR2PBF

MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN

Número de pieza

IRFH6200TR2PBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

PQFN (5x6)

Disipación de energía (máx.)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

49A (Ta), 100A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

0.95 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.1V @ 150µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

230nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

10890pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 10V

Vgs (máx.)

±12V

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