La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRFH7932TR2PBF

IRFH7932TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
Número de pieza
IRFH7932TR2PBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
PQFN (5x6) Single Die
Disipación de energía (máx.)
3.4W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
24A (Ta), 104A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
3.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.35V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4270pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 51226 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIRFH7932TR2PBF
IRFH7932TR2PBF Componentes electrónicos
IRFH7932TR2PBF Ventas
IRFH7932TR2PBF Proveedor
IRFH7932TR2PBF Distribuidor
IRFH7932TR2PBF Tabla de datos
IRFH7932TR2PBF Fotos
IRFH7932TR2PBF Precio
IRFH7932TR2PBF Oferta
IRFH7932TR2PBF El precio más bajo
IRFH7932TR2PBF Buscar
IRFH7932TR2PBF Adquisitivo
IRFH7932TR2PBF Chip