Comprar Infineon Technologies IRFH8337TR2PBF MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN

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Hojas de datos

IRFH8337TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN

Número de pieza

IRFH8337TR2PBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

PQFN (5x6)

Disipación de energía (máx.)

3.2W (Ta), 27W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

12A (Ta), 35A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

12.8 mOhm @ 16.2A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.35V @ 25µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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