Comprar Infineon Technologies IRFHM830TR2PBF MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

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IRFHM830TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

Número de pieza

IRFHM830TR2PBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-VQFN Exposed Pad

Paquete de dispositivo del proveedor

PQFN (3x3)

Disipación de energía (máx.)

2.7W (Ta), 37W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

21A (Ta), 40A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.35V @ 50µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2155pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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