Comprar Infineon Technologies IRFHM8363TR2PBF MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

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IRFHM8363TR2PBF

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Número de pieza

IRFHM8363TR2PBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Cut Tape (CT)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Potencia - Máx.

2.7W

Paquete de dispositivo del proveedor

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Función FET

Logic Level Gate

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

11A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

14.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.35V @ 25µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1165pF @ 10V

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