Comprar Infineon Technologies IRFHM9331TR2PBF MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN

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IRFHM9331TR2PBF

MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN

Número de pieza

IRFHM9331TR2PBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

PQFN (3x3)

Disipación de energía (máx.)

2.8W (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

11A (Ta), 24A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 11A, 20V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.4V @ 25µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1543pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V, 20V

Vgs (máx.)

±25V

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