Comprar Infineon Technologies IRL100HS121 MOSFET N-CH 100V 6PQFN

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Hojas de datos

IRL100HS121

MOSFET N-CH 100V 6PQFN

Número de pieza

IRL100HS121

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-VDFN Exposed Pad

Paquete de dispositivo del proveedor

6-PQFN (2x2)

Disipación de energía (máx.)

11.5W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

11A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

42 mOhm @ 6.7A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.3V @ 10µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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