Comprar Infineon Technologies IRLHS6342TR2PBF MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN

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IRLHS6342TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN

Número de pieza

IRLHS6342TR2PBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

6-PQFN (2x2)

Disipación de energía (máx.)

2.1W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

8.7A (Ta), 19A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.1V @ 10µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1019pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±12V

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