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IRLHS6376TRPBF

IRLHS6376TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Número de pieza
IRLHS6376TRPBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-VDFN Exposed Pad
Potencia - Máx.
1.5W
Paquete de dispositivo del proveedor
6-PQFN (2x2)
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3.6A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
63 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.1V @ 10µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
2.8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 25V
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