Comprar Infineon Technologies IRLL024NPBF MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223

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IRLL024NPBF

MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223

Número de pieza

IRLL024NPBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Not For New Designs

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-261-4, TO-261AA

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-223

Disipación de energía (máx.)

1W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

55V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3.1A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

15.6nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4V, 10V

Vgs (máx.)

±16V

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