Comprar Infineon Technologies IRLR3636PBF MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK

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IRLR3636PBF

MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK

Número de pieza

IRLR3636PBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Not For New Designs

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

D-Pak

Disipación de energía (máx.)

143W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

50A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

6.8 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 100µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3779pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±16V

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