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SIDC24D30SIC3
DIODE SILICON 300V 10A WAFER
Número de pieza
SIDC24D30SIC3
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Discontinued at Digi-Key
embalaje
Bulk
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
Die
Paquete de dispositivo del proveedor
Sawn on foil
Tipo de diodo
Silicon Carbide Schottky
Corriente - Promedio Rectificado (Io)
10A (DC)
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si
1.7V @ 10A
Corriente - Fuga inversa @ Vr
200µA @ 300V
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)
300V
Velocidad
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
0ns
Temperatura de funcionamiento: unión
-55°C ~ 175°C
Capacitancia @ Vr, F
600pF @ 1V, 1MHz
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