Comprar Infineon Technologies SPB21N10 G MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK

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SPB21N10 G

MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK

Número de pieza

SPB21N10 G

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO263-3-2

Disipación de energía (máx.)

90W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

21A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 44µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

38.4nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

865pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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