Comprar IXYS Integrated Circuits Division CPC3960ZTR MOSFET N-CH 600V SOT-223

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Hojas de datos

CPC3960ZTR

MOSFET N-CH 600V SOT-223

Número de pieza

CPC3960ZTR

Fabricante/Marca

IXYS Integrated Circuits Division

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 125°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-261-4, TO-261AA

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-223

Disipación de energía (máx.)

1.8W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Depletion Mode

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

44 Ohm @ 100mA, 0V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

Vgs (máx.)

±15V

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