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IXDN602SI
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Número de pieza
IXDN602SI
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tipo de entrada
Non-Inverting
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SOIC-EP
Suministro de voltaje
4.5 V ~ 35 V
Tipo de canal
Independent
Configuración impulsada
Low-Side
Número de conductores
2
Tipo de puerta
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltaje lógico - VIL, VIH
0.8V, 3V
Corriente - Salida máxima (fuente, sumidero)
2A, 2A
Voltaje del lado alto: máx. (Bootstrap)
-
Tiempo de subida/caída (típico)
7.5ns, 6.5ns
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