La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFH18N90P

IXFH18N90P

MOSFET N-CH TO-247
Número de pieza
IXFH18N90P
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247AD (IXFH)
Disipación de energía (máx.)
540W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
900V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
18A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
6.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
97nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
5230pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 41288 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIXFH18N90P
IXFH18N90P Componentes electrónicos
IXFH18N90P Ventas
IXFH18N90P Proveedor
IXFH18N90P Distribuidor
IXFH18N90P Tabla de datos
IXFH18N90P Fotos
IXFH18N90P Precio
IXFH18N90P Oferta
IXFH18N90P El precio más bajo
IXFH18N90P Buscar
IXFH18N90P Adquisitivo
IXFH18N90P Chip