La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFH60N65X2-4

IXFH60N65X2-4

MOSFET N-CH
Número de pieza
IXFH60N65X2-4
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-4
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247-4L
Disipación de energía (máx.)
780W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
650V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
60A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
52 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
108nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
6300pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 10290 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIXFH60N65X2-4
IXFH60N65X2-4 Componentes electrónicos
IXFH60N65X2-4 Ventas
IXFH60N65X2-4 Proveedor
IXFH60N65X2-4 Distribuidor
IXFH60N65X2-4 Tabla de datos
IXFH60N65X2-4 Fotos
IXFH60N65X2-4 Precio
IXFH60N65X2-4 Oferta
IXFH60N65X2-4 El precio más bajo
IXFH60N65X2-4 Buscar
IXFH60N65X2-4 Adquisitivo
IXFH60N65X2-4 Chip