La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFK120N30T

IXFK120N30T

MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
Número de pieza
IXFK120N30T
Fabricante/Marca
Serie
GigaMOS™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-264-3, TO-264AA
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-264AA (IXFK)
Disipación de energía (máx.)
960W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
300V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
120A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
265nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
20000pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 41386 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIXFK120N30T
IXFK120N30T Componentes electrónicos
IXFK120N30T Ventas
IXFK120N30T Proveedor
IXFK120N30T Distribuidor
IXFK120N30T Tabla de datos
IXFK120N30T Fotos
IXFK120N30T Precio
IXFK120N30T Oferta
IXFK120N30T El precio más bajo
IXFK120N30T Buscar
IXFK120N30T Adquisitivo
IXFK120N30T Chip