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IXFK170N20T
MOSFET N-CH 200V 170A TO-264
Número de pieza
IXFK170N20T
Fabricante/Marca
Serie
GigaMOS™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-264-3, TO-264AA
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-264AA (IXFK)
Disipación de energía (máx.)
1150W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
170A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
265nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
19600pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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