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IXFK32N100P
MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264
Número de pieza
IXFK32N100P
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-264-3, TO-264AA
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-264AA (IXFK)
Disipación de energía (máx.)
960W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1000V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
32A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
6.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
225nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
14200pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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