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IXFN110N85X
MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
Número de pieza
IXFN110N85X
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Estuche
SOT-227-4, miniBLOC
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-227B
Disipación de energía (máx.)
1170W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
850V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
110A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5.5V @ 8mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
425nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
17000pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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