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IXFN160N30T

MOSFET N-CH 300V 130A SOT227

Número de pieza

IXFN160N30T

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

GigaMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

SOT-227-4, miniBLOC

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-227B

Disipación de energía (máx.)

900W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

300V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

130A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 8mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

335nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

28000pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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