La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFN170N10
MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
Número de pieza
IXFN170N10
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Estuche
SOT-227-4, miniBLOC
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-227B
Disipación de energía (máx.)
600W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
170A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 8mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
515nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
10300pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 47268 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXFN170N10
IXFN170N10 Componentes electrónicos
IXFN170N10 Ventas
IXFN170N10 Proveedor
IXFN170N10 Distribuidor
IXFN170N10 Tabla de datos
IXFN170N10 Fotos
IXFN170N10 Precio
IXFN170N10 Oferta
IXFN170N10 El precio más bajo
IXFN170N10 Buscar
IXFN170N10 Adquisitivo
IXFN170N10 Chip