Comprar IXYS IXFN32N60 MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227

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IXFN32N60

MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227

Número de pieza

IXFN32N60

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

HiPerFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

SOT-227-4, miniBLOC

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-227B

Disipación de energía (máx.)

520AW (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

32A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 8mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

325nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9000pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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