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IXFN50N120SK

MOSFET N-CH

Número de pieza

IXFN50N120SK

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tecnología

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

SOT-227-4, miniBLOC

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-227B

Disipación de energía (máx.)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

48A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

52 mOhm @ 40A, 20V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.8V @ 10mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

115nC @ 20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1895pF @ 1000V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

20V

Vgs (máx.)

+20V, -5V

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