Comprar IXYS IXFN80N60P3 MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

IXFN80N60P3

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

Número de pieza

IXFN80N60P3

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

HiPerFET™, Polar3™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

SOT-227-4, miniBLOC

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-227B

Disipación de energía (máx.)

960W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

66A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 8mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13100pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 46122 PCS

Información del contacto

Productos relacionados

IXFN100N10S1

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B