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IXFQ50N60X
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
Número de pieza
IXFQ50N60X
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-3P-3, SC-65-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-3P
Disipación de energía (máx.)
660W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
50A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
73 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
116nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4660pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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