La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFR32N100P

IXFR32N100P

MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
Número de pieza
IXFR32N100P
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
ISOPLUS247™
Paquete de dispositivo del proveedor
ISOPLUS247™
Disipación de energía (máx.)
320W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1000V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
18A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
340 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
6.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
225nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
14200pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 40849 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIXFR32N100P
IXFR32N100P Componentes electrónicos
IXFR32N100P Ventas
IXFR32N100P Proveedor
IXFR32N100P Distribuidor
IXFR32N100P Tabla de datos
IXFR32N100P Fotos
IXFR32N100P Precio
IXFR32N100P Oferta
IXFR32N100P El precio más bajo
IXFR32N100P Buscar
IXFR32N100P Adquisitivo
IXFR32N100P Chip