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IXFT18N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
Número de pieza
IXFT18N100Q3
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-268
Disipación de energía (máx.)
830W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1000V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
18A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
6.5V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4890pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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