La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFT18N100Q3

IXFT18N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
Número de pieza
IXFT18N100Q3
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-268
Disipación de energía (máx.)
830W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1000V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
18A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
6.5V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4890pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 13528 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIXFT18N100Q3
IXFT18N100Q3 Componentes electrónicos
IXFT18N100Q3 Ventas
IXFT18N100Q3 Proveedor
IXFT18N100Q3 Distribuidor
IXFT18N100Q3 Tabla de datos
IXFT18N100Q3 Fotos
IXFT18N100Q3 Precio
IXFT18N100Q3 Oferta
IXFT18N100Q3 El precio más bajo
IXFT18N100Q3 Buscar
IXFT18N100Q3 Adquisitivo
IXFT18N100Q3 Chip