La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFT18N90P
MOSFET N-CH 900V 18A TO268
Número de pieza
IXFT18N90P
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-268
Disipación de energía (máx.)
540W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
900V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
18A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
6.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
97nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
5230pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 45907 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXFT18N90P
IXFT18N90P Componentes electrónicos
IXFT18N90P Ventas
IXFT18N90P Proveedor
IXFT18N90P Distribuidor
IXFT18N90P Tabla de datos
IXFT18N90P Fotos
IXFT18N90P Precio
IXFT18N90P Oferta
IXFT18N90P El precio más bajo
IXFT18N90P Buscar
IXFT18N90P Adquisitivo
IXFT18N90P Chip