La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFT23N60Q

IXFT23N60Q

MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
Número de pieza
IXFT23N60Q
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Bulk
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-268
Disipación de energía (máx.)
400W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
23A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3300pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 34757 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIXFT23N60Q
IXFT23N60Q Componentes electrónicos
IXFT23N60Q Ventas
IXFT23N60Q Proveedor
IXFT23N60Q Distribuidor
IXFT23N60Q Tabla de datos
IXFT23N60Q Fotos
IXFT23N60Q Precio
IXFT23N60Q Oferta
IXFT23N60Q El precio más bajo
IXFT23N60Q Buscar
IXFT23N60Q Adquisitivo
IXFT23N60Q Chip