La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFT30N60Q
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268(D3)
Número de pieza
IXFT30N60Q
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Bulk
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-268
Disipación de energía (máx.)
500W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
30A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
230 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
125nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 31360 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXFT30N60Q
IXFT30N60Q Componentes electrónicos
IXFT30N60Q Ventas
IXFT30N60Q Proveedor
IXFT30N60Q Distribuidor
IXFT30N60Q Tabla de datos
IXFT30N60Q Fotos
IXFT30N60Q Precio
IXFT30N60Q Oferta
IXFT30N60Q El precio más bajo
IXFT30N60Q Buscar
IXFT30N60Q Adquisitivo
IXFT30N60Q Chip