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IXFT36N60P
MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3
Número de pieza
IXFT36N60P
Serie
HiPerFET™, PolarHT™
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-268
Disipación de energía (máx.)
650W (Tc)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
36A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
102nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
5800pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
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Palabras clave deIXFT36N60P
IXFT36N60P Componentes electrónicos
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