La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFT50N30Q3
MOSFET N-CH 300V 50A TO-268
Número de pieza
IXFT50N30Q3
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-268
Disipación de energía (máx.)
690W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
300V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
50A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
6.5V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3165pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 9385 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXFT50N30Q3
IXFT50N30Q3 Componentes electrónicos
IXFT50N30Q3 Ventas
IXFT50N30Q3 Proveedor
IXFT50N30Q3 Distribuidor
IXFT50N30Q3 Tabla de datos
IXFT50N30Q3 Fotos
IXFT50N30Q3 Precio
IXFT50N30Q3 Oferta
IXFT50N30Q3 El precio más bajo
IXFT50N30Q3 Buscar
IXFT50N30Q3 Adquisitivo
IXFT50N30Q3 Chip