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IXTA3N100D2

MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK

Número de pieza

IXTA3N100D2

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-263 (IXTA)

Disipación de energía (máx.)

125W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Depletion Mode

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1000V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

5.5 Ohm @ 1.5A, 0V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

37.5nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1020pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

Vgs (máx.)

±20V

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