La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXTA60N10T
MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
Número de pieza
IXTA60N10T
Fabricante/Marca
Serie
TrenchMV™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-263 (IXTA)
Disipación de energía (máx.)
176W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
60A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 50µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2650pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 36322 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXTA60N10T
IXTA60N10T Componentes electrónicos
IXTA60N10T Ventas
IXTA60N10T Proveedor
IXTA60N10T Distribuidor
IXTA60N10T Tabla de datos
IXTA60N10T Fotos
IXTA60N10T Precio
IXTA60N10T Oferta
IXTA60N10T El precio más bajo
IXTA60N10T Buscar
IXTA60N10T Adquisitivo
IXTA60N10T Chip