La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXTQ200N06P
MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P
Número de pieza
IXTQ200N06P
Fabricante/Marca
Serie
PolarHT™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-3P-3, SC-65-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-3P
Disipación de energía (máx.)
714W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
200A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 400A, 15V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
5400pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 43749 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXTQ200N06P
IXTQ200N06P Componentes electrónicos
IXTQ200N06P Ventas
IXTQ200N06P Proveedor
IXTQ200N06P Distribuidor
IXTQ200N06P Tabla de datos
IXTQ200N06P Fotos
IXTQ200N06P Precio
IXTQ200N06P Oferta
IXTQ200N06P El precio más bajo
IXTQ200N06P Buscar
IXTQ200N06P Adquisitivo
IXTQ200N06P Chip